2024年北京理工大學(xué)非全日制研究生招生考試《集成電路工程基礎(chǔ)》考試大綱
1. 考試內(nèi)容
(1)電子技術(shù)基礎(chǔ)部分
二極管的特性、模型及應(yīng)用。BJT、FET的工作原理，BJT、FET放大電路的組成、小信號模型分析法，各組態(tài)放大電路的性能分析，多級放大電路、差動放大電路的結(jié)構(gòu)與指標分析。頻率響應(yīng)的概念，放大電路頻率響應(yīng)的分析。集成運算放大器的特性，反饋的基本概念，反饋分類與判別，負反饋對放大電路性能的影響，集成運算放大器構(gòu)成的運算電路、濾波電路。
(2)半導(dǎo)體物理部分
主要包含半導(dǎo)體中的電子狀態(tài);半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶、電子的運動，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)、空穴，硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu);半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級，硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級、缺陷、位錯能級;半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布、狀態(tài)密度，費米能級、載流子濃度的計算，簡并半導(dǎo)體;載流子的位移與擴散運動，載流子的散射、遷移率、電阻率、熱載流子、多能谷散射;非平衡載流子的注入，復(fù)合壽命，費米能級，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，載流子的遷移運動，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程;PN結(jié)的伏安特性，PN結(jié)電容，擊穿;金屬和半導(dǎo)體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸;表面態(tài)，表面場效應(yīng)，C-V特性，表面電場對PN結(jié)特性的影響;半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)，光電性質(zhì)，發(fā)光現(xiàn)象，半導(dǎo)體激光器;半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)，溫差電動勢率，熱電效應(yīng)及其應(yīng)用;半導(dǎo)體磁效應(yīng)和壓阻效應(yīng)。
2. 題型及分值安排
(1) 題型：選擇題、簡答題和計算題。
(2) 分值安排：電子技術(shù)基礎(chǔ)部分占50分，半導(dǎo)體物理部分占100分。
參考書目
1.《電路與模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》，清華大學(xué)出版社，杜慧茜，馬志峰，鄧小英，吳瓊之，2022年，或《電子技術(shù)基礎(chǔ)-模擬部分》(第6版)》，高等教育出版社，康華光，2013年。(電子技術(shù)基礎(chǔ)部分兩本參考書可任選其一)
2.《半導(dǎo)體物理學(xué)(第7版)》，電子工業(yè)出版社，劉恩科，朱秉升，羅晉生等，2017年。
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